TPC8405(TE12L,Q,M)
Número de pieza:
TPC8405(TE12L,Q,M)
Fabricante:
Toshiba Semiconductor
Descripción:
MOSFET N/P-CH 30V 6A/4.5A 8SOP
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
18658 Pieces
Ficha de datos:
1.TPC8405(TE12L,Q,M).pdf2.TPC8405(TE12L,Q,M).pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:2V @ 1mA
Paquete del dispositivo:8-SOP (5.5x6.0)
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:26 mOhm @ 3A, 10V
Potencia - Max:450mW
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
Temperatura de funcionamiento:150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:TPC8405(TE12L,Q,M)
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1240pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:27nC @ 10V
Tipo FET:N and P-Channel
Característica de FET:Logic Level Gate
Descripción ampliada:Mosfet Array N and P-Channel 30V 6A, 4.5A 450mW Surface Mount 8-SOP (5.5x6.0)
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:30V
Descripción:MOSFET N/P-CH 30V 6A/4.5A 8SOP
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:6A, 4.5A
Email:[email protected]

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