TPC6009-H(TE85L,FM
Número de pieza:
TPC6009-H(TE85L,FM
Fabricante:
Toshiba Semiconductor
Descripción:
MOSFET N-CH 40V 5.3A VS6
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
13880 Pieces
Ficha de datos:
1.TPC6009-H(TE85L,FM.pdf2.TPC6009-H(TE85L,FM.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:2.3V @ 100µA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:VS-6 (2.9x2.8)
Serie:U-MOSVI-H
RDS (Max) @Id, Vgs:81 mOhm @ 2.7A, 10V
La disipación de energía (máximo):700mW (Ta)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Otros nombres:TPC6009-H(TE85LFM
TPC6009HTE85LFM
Temperatura de funcionamiento:150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:TPC6009-H(TE85L,FM
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:290pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:4.7nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 40V 5.3A (Ta) 700mW (Ta) Surface Mount VS-6 (2.9x2.8)
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:40V
Descripción:MOSFET N-CH 40V 5.3A VS6
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:5.3A (Ta)
Email:[email protected]

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