TK8P60W5,RVQ
TK8P60W5,RVQ
Número de pieza:
TK8P60W5,RVQ
Fabricante:
Toshiba Semiconductor
Descripción:
MOSFET N-CH 600V 8A DPAK
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
16628 Pieces
Ficha de datos:
TK8P60W5,RVQ.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:4.5V @ 400µA
Vgs (Max):±30V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:DPAK
Serie:DTMOSIV
RDS (Max) @Id, Vgs:560 mOhm @ 4A, 10V
La disipación de energía (máximo):80W (Tc)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Otros nombres:TK8P60W5,RVQ(S
TK8P60W5RVQTR
Temperatura de funcionamiento:150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:16 Weeks
Número de pieza del fabricante:TK8P60W5,RVQ
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:590pF @ 300V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:22nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 600V 8A (Ta) 80W (Tc) Surface Mount DPAK
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:600V
Descripción:MOSFET N-CH 600V 8A DPAK
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:8A (Ta)
Email:[email protected]

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