SUP85N10-10-GE3
SUP85N10-10-GE3
Número de pieza:
SUP85N10-10-GE3
Fabricante:
Vishay / Siliconix
Descripción:
MOSFET N-CH 100V 85A TO220AB
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
20286 Pieces
Ficha de datos:
1.SUP85N10-10-GE3.pdf2.SUP85N10-10-GE3.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:3V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:TO-220AB
Serie:TrenchFET®
RDS (Max) @Id, Vgs:10.5 mOhm @ 30A, 10V
La disipación de energía (máximo):3.75W (Ta), 250W (Tc)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:TO-220-3
Otros nombres:SUP85N10-10-GE3-ND
SUP85N10-10-GE3TR
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:24 Weeks
Número de pieza del fabricante:SUP85N10-10-GE3
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:6550pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:160nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 100V 85A (Tc) 3.75W (Ta), 250W (Tc) Through Hole TO-220AB
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:100V
Descripción:MOSFET N-CH 100V 85A TO220AB
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:85A (Tc)
Email:[email protected]

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