SUM25P10-138-E3
Número de pieza:
SUM25P10-138-E3
Fabricante:
Vishay / Siliconix
Descripción:
MOSFET P-CH 100V 16.7A D2PAK
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
17636 Pieces
Ficha de datos:
SUM25P10-138-E3.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:4V @ 250µA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:TO-263 (D2Pak)
Serie:TrenchFET®
RDS (Max) @Id, Vgs:13.8 mOhm @ 6A, 10V
La disipación de energía (máximo):3.75W (Ta), 88.2W (Tc)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:SUM25P10-138-E3
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:2110pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:60nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 100V 16.7A (Tc) 3.75W (Ta), 88.2W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2Pak)
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:100V
Descripción:MOSFET P-CH 100V 16.7A D2PAK
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:16.7A (Tc)
Email:[email protected]

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