SUD50P10-43-E3
SUD50P10-43-E3
Número de pieza:
SUD50P10-43-E3
Fabricante:
Vishay / Siliconix
Descripción:
MOSFET P-CH 100V 38A TO252
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
17924 Pieces
Ficha de datos:
SUD50P10-43-E3.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:4V @ 250µA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:TO-252, (D-Pak)
Serie:TrenchFET®
RDS (Max) @Id, Vgs:43 mOhm @ 9.4A, 10V
La disipación de energía (máximo):8.3W (Ta), 136W (Tc)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Temperatura de funcionamiento:-50°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:SUD50P10-43-E3
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:5230pF @ 50V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:160nC @ 10V
Tipo FET:P-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:P-Channel 100V 38A (Tc) 8.3W (Ta), 136W (Tc) Surface Mount TO-252, (D-Pak)
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:100V
Descripción:MOSFET P-CH 100V 38A TO252
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:38A (Tc)
Email:[email protected]

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