SUD35N10-26P-E3
SUD35N10-26P-E3
Número de pieza:
SUD35N10-26P-E3
Fabricante:
Vishay / Siliconix
Descripción:
MOSFET N-CH 100V 35A TO252
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
16201 Pieces
Ficha de datos:
SUD35N10-26P-E3.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:4.4V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:TO-252
Serie:TrenchFET®
RDS (Max) @Id, Vgs:26 mOhm @ 12A, 10V
La disipación de energía (máximo):8.3W (Ta), 83W (Tc)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Otros nombres:SUD35N10-26P-E3-ND
SUD35N10-26P-E3TR
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:15 Weeks
Número de pieza del fabricante:SUD35N10-26P-E3
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:2000pF @ 12V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:47nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 100V 35A (Tc) 8.3W (Ta), 83W (Tc) Surface Mount TO-252
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):7V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:100V
Descripción:MOSFET N-CH 100V 35A TO252
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:35A (Tc)
Email:[email protected]

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