STU4N62K3
STU4N62K3
Número de pieza:
STU4N62K3
Fabricante:
ST
Descripción:
MOSFET N-CH 620V 3.8A IPAK
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
13025 Pieces
Ficha de datos:
STU4N62K3.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:4.5V @ 50µA
Vgs (Max):±30V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:I-Pak
Serie:SuperMESH3™
RDS (Max) @Id, Vgs:2 Ohm @ 1.9A, 10V
La disipación de energía (máximo):70W (Tc)
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Otros nombres:497-12364
Temperatura de funcionamiento:150°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:STU4N62K3
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:550pF @ 50V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:22nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 620V 3.8A (Tc) 70W (Tc) Through Hole I-Pak
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:620V
Descripción:MOSFET N-CH 620V 3.8A IPAK
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:3.8A (Tc)
Email:[email protected]

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