STQ1NK80ZR-AP
STQ1NK80ZR-AP
Número de pieza:
STQ1NK80ZR-AP
Fabricante:
ST
Descripción:
MOSFET N-CH 800V 0.3A TO-92
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
14006 Pieces
Ficha de datos:
STQ1NK80ZR-AP.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:4.5V @ 50µA
Vgs (Max):±30V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:TO-92-3
Serie:SuperMESH™
RDS (Max) @Id, Vgs:16 Ohm @ 500mA, 10V
La disipación de energía (máximo):3W (Tc)
embalaje:Tape & Box (TB)
Paquete / Cubierta:TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
Otros nombres:497-6197-3
STQ1NK80ZRAP
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:18 Weeks
Número de pieza del fabricante:STQ1NK80ZR-AP
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:160pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:7.7nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 800V 300mA (Tc) 3W (Tc) Through Hole TO-92-3
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:800V
Descripción:MOSFET N-CH 800V 0.3A TO-92
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:300mA (Tc)
Email:[email protected]

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