STP8NM60ND
STP8NM60ND
Número de pieza:
STP8NM60ND
Fabricante:
ST
Descripción:
MOSFET N-CH 600V 7A TO-220
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
17472 Pieces
Ficha de datos:
STP8NM60ND.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:5V @ 250µA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:TO-220-3
Serie:FDmesh™ II
RDS (Max) @Id, Vgs:700 mOhm @ 3.5A, 10V
La disipación de energía (máximo):70W (Tc)
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:TO-220-3
Otros nombres:497-8793-5
Temperatura de funcionamiento:150°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:STP8NM60ND
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:560pF @ 50V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:22nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 600V 7A (Tc) 70W (Tc) Through Hole TO-220-3
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:600V
Descripción:MOSFET N-CH 600V 7A TO-220
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:7A (Tc)
Email:[email protected]

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