STP16N65M5
STP16N65M5
Número de pieza:
STP16N65M5
Fabricante:
ST
Descripción:
MOSFET N-CH 650V 12A TO-220
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
18571 Pieces
Ficha de datos:
STP16N65M5.pdf

Introducción

BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para STP16N65M5, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para STP16N65M5 por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Comprar STP16N65M5 con BYCHPS
Compre con garantía

Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:5V @ 250µA
Vgs (Max):±25V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:TO-220-3
Serie:MDmesh™ V
RDS (Max) @Id, Vgs:299 mOhm @ 6A, 10V
La disipación de energía (máximo):90W (Tc)
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:TO-220-3
Otros nombres:497-8788-5
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:20 Weeks
Número de pieza del fabricante:STP16N65M5
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1250pF @ 100V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:45nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 650V 12A (Tc) 90W (Tc) Through Hole TO-220-3
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:650V
Descripción:MOSFET N-CH 650V 12A TO-220
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:12A (Tc)
Email:[email protected]

Solicitud de Cotización rápida

Número de pieza
Cantidad
Empresa
Email
Teléfono
Notas/Comentarios