STP11NM60ND
STP11NM60ND
Número de pieza:
STP11NM60ND
Fabricante:
ST
Descripción:
MOSFET N-CH 600V 10A TO-220
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
16987 Pieces
Ficha de datos:
STP11NM60ND.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:5V @ 250µA
Vgs (Max):±25V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:TO-220AB
Serie:FDmesh™ II
RDS (Max) @Id, Vgs:450 mOhm @ 5A, 10V
La disipación de energía (máximo):90W (Tc)
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:TO-220-3
Otros nombres:497-8442-5
Temperatura de funcionamiento:150°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:22 Weeks
Número de pieza del fabricante:STP11NM60ND
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:850pF @ 50V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:30nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 600V 10A (Tc) 90W (Tc) Through Hole TO-220AB
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:600V
Descripción:MOSFET N-CH 600V 10A TO-220
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:10A (Tc)
Email:[email protected]

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