STL23NM60ND
STL23NM60ND
Número de pieza:
STL23NM60ND
Fabricante:
ST
Descripción:
MOSFET N-CH 600V 19.5A POWERFLAT
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
18432 Pieces
Ficha de datos:
STL23NM60ND.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:5V @ 250µA
Vgs (Max):±25V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:PowerFlat™ (8x8) HV
Serie:FDmesh™ II
RDS (Max) @Id, Vgs:180 mOhm @ 10A, 10V
La disipación de energía (máximo):3W (Ta), 150W (Tc)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:4-PowerFlat™ HV
Otros nombres:497-11205-2
Temperatura de funcionamiento:150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):3 (168 Hours)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:22 Weeks
Número de pieza del fabricante:STL23NM60ND
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:2050pF @ 50V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:70nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 600V 19.5A (Tc) 3W (Ta), 150W (Tc) Surface Mount PowerFlat™ (8x8) HV
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:600V
Descripción:MOSFET N-CH 600V 19.5A POWERFLAT
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:19.5A (Tc)
Email:[email protected]

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