STD10P6F6
STD10P6F6
Número de pieza:
STD10P6F6
Fabricante:
ST
Descripción:
MOSFET P CH 60V 10A DPAK
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
19362 Pieces
Ficha de datos:
STD10P6F6.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:4V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:DPAK
Serie:DeepGATE™, STripFET™ VI
RDS (Max) @Id, Vgs:160 mOhm @ 5A, 10V
La disipación de energía (máximo):35W (Tc)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Otros nombres:497-13424-2
Temperatura de funcionamiento:175°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:26 Weeks
Número de pieza del fabricante:STD10P6F6
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:340pF @ 48V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:6.4nC @ 10V
Tipo FET:P-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:P-Channel 60V 10A (Tc) 35W (Tc) Surface Mount DPAK
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:60V
Descripción:MOSFET P CH 60V 10A DPAK
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:10A (Tc)
Email:[email protected]

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