SSM6K211FE,LF
SSM6K211FE,LF
Número de pieza:
SSM6K211FE,LF
Fabricante:
Toshiba Semiconductor
Descripción:
MOSFET N-CH 20V 3.2A ES6
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
15963 Pieces
Ficha de datos:
1.SSM6K211FE,LF.pdf2.SSM6K211FE,LF.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:1V @ 1mA
Vgs (Max):±10V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:ES6 (1.6x1.6)
Serie:U-MOSIII
RDS (Max) @Id, Vgs:47 mOhm @ 2A, 4.5V
La disipación de energía (máximo):500mW (Ta)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:SOT-563, SOT-666
Otros nombres:SSM6K211FE(TE85L,F
SSM6K211FE(TE85LFTR
SSM6K211FE(TE85LFTR-ND
SSM6K211FE,LF(CA
SSM6K211FELFTR
SSM6K211FETE85LF
Temperatura de funcionamiento:150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:10 Weeks
Número de pieza del fabricante:SSM6K211FE,LF
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:510pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:10.8nC @ 4.5V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 20V 3.2A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount ES6 (1.6x1.6)
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):1.5V, 4.5V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:20V
Descripción:MOSFET N-CH 20V 3.2A ES6
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:3.2A (Ta)
Email:[email protected]

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