SSM6J771G,LF
Número de pieza:
SSM6J771G,LF
Fabricante:
Toshiba Semiconductor
Descripción:
MOSFET P-CH 20V 5A 6WCSP
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
18659 Pieces
Ficha de datos:
SSM6J771G,LF.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:1.2V @ 1mA, 3V
Vgs (Max):±12V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Serie:U-MOSVI
RDS (Max) @Id, Vgs:31 mOhm @ 3A, 8.5V
La disipación de energía (máximo):1.2W (Ta)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:6-UFBGA, WLCSP
Otros nombres:SSM6J771G,LF(S
SSM6J771GLFTR
Temperatura de funcionamiento:150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:12 Weeks
Número de pieza del fabricante:SSM6J771G,LF
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:870pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:9.8nC @ 4.5V
Tipo FET:P-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:P-Channel 20V 5A (Ta) 1.2W (Ta) Surface Mount
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):2.5V, 8.5V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:20V
Descripción:MOSFET P-CH 20V 5A 6WCSP
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:5A (Ta)
Email:[email protected]

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