SSM3K335R,LF
SSM3K335R,LF
Número de pieza:
SSM3K335R,LF
Fabricante:
Toshiba Semiconductor
Descripción:
MOSFET N CH 30V 6A SOT-23F
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
16815 Pieces
Ficha de datos:
SSM3K335R,LF.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:2.5V @ 100µA
Vgs (Max):±20V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:SOT-23F
Serie:U-MOSVII-H
RDS (Max) @Id, Vgs:38 mOhm @ 4A, 10V
La disipación de energía (máximo):1W (Ta)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:SOT-23-3 Flat Leads
Otros nombres:SSM3K335R,LF(B
SSM3K335R,LF(T
SSM3K335RLF
SSM3K335RLF(TTR
SSM3K335RLF(TTR-ND
SSM3K335RLFTR
Temperatura de funcionamiento:150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:16 Weeks
Número de pieza del fabricante:SSM3K335R,LF
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:340pF @ 15V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:2.7nC @ 4.5V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 30V 6A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount SOT-23F
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:30V
Descripción:MOSFET N CH 30V 6A SOT-23F
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:6A (Ta)
Email:[email protected]

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