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SQJQ100E-T1_GE3
- Número de pieza:
- SQJQ100E-T1_GE3
- Fabricante:
- Vishay / Siliconix
- Descripción:
- MOSFET N-CH 40V 200A PWRPAK 8X8
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 14341 Pieces
- Ficha de datos:
- SQJQ100E-T1_GE3.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para SQJQ100E-T1_GE3, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para SQJQ100E-T1_GE3 por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| VGS (th) (Max) @Id: | 3.5V @ 250µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±20V |
| Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo: | PowerPAK® 8 x 8 |
| Serie: | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 1.5 mOhm @ 20A, 10V |
| La disipación de energía (máximo): | 150W (Tc) |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | 8-PowerTDFN |
| Otros nombres: | SQJQ100E-T1_GE3TR |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 15 Weeks |
| Número de pieza del fabricante: | SQJQ100E-T1_GE3 |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 14780pF @ 25V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 165nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica de FET: | - |
| Descripción ampliada: | N-Channel 40V 200A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 8 x 8 |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 40V |
| Descripción: | MOSFET N-CH 40V 200A PWRPAK 8X8 |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 200A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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