SQJB90EP-T1_GE3
Número de pieza:
SQJB90EP-T1_GE3
Fabricante:
Vishay / Siliconix
Descripción:
MOSFET ARRAY 2N-CH 80V SO8
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
17224 Pieces
Ficha de datos:
SQJB90EP-T1_GE3.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:3.5V @ 250µA
Paquete del dispositivo:PowerPAK® SO-8 Dual
Serie:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
RDS (Max) @Id, Vgs:21.5 mOhm @ 10A, 10V
Potencia - Max:48W
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:PowerPAK® SO-8 Dual
Otros nombres:SQJB90EP-T1_GE3TR
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:13 Weeks
Número de pieza del fabricante:SQJB90EP-T1_GE3
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1200pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:25nC @ 10V
Tipo FET:2 N-Channel (Dual)
Característica de FET:Standard
Descripción ampliada:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 80V 30A (Tc) 48W Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:80V
Descripción:MOSFET ARRAY 2N-CH 80V SO8
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:30A (Tc)
Email:[email protected]

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