Comprar SQJ570EP-T1_GE3 con BYCHPS
Compre con garantía
SQJ570EP-T1_GE3
- Número de pieza:
- SQJ570EP-T1_GE3
- Fabricante:
- Vishay / Siliconix
- Descripción:
- MOSFET ARRAY N/P-CH 100V SO8
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 12174 Pieces
- Ficha de datos:
- SQJ570EP-T1_GE3.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para SQJ570EP-T1_GE3, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para SQJ570EP-T1_GE3 por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| VGS (th) (Max) @Id: | 2.5V @ 250µA |
|---|---|
| Paquete del dispositivo: | PowerPAK® SO-8 Dual |
| Serie: | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 45 mOhm @ 6A, 10V, 146 mOhm @ 6A, 10V |
| Potencia - Max: | 27W |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | PowerPAK® SO-8 Dual |
| Otros nombres: | SQJ570EP-T1_GE3TR |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 13 Weeks |
| Número de pieza del fabricante: | SQJ570EP-T1_GE3 |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 650pF @ 25V, 600pF @ 25V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 20nC @ 10V, 15nC @ 10V |
| Tipo FET: | N and P-Channel |
| Característica de FET: | Standard |
| Descripción ampliada: | Mosfet Array N and P-Channel 100V 15A (Tc), 9.5A (Tc) 27W Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 100V |
| Descripción: | MOSFET ARRAY N/P-CH 100V SO8 |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 15A (Tc), 9.5A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
partes relacionadas de SQJ570EP-T1_GE3
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | Ver |
|---|---|---|---|---|
 |
DMN2029USD-13 | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 20V 5.8A 8SO | Investigación |
 |
SI5902BDC-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 30V 4A 1206-8 | Investigación |
 |
TPS1120D | Texas Instruments | MOSFET 2P-CH 15V 1.17A 8-SOIC | Investigación |
 |
ECH8672-TL-H | ON Semiconductor | MOSFET 2P-CH 20V 3.5A ECH8 | Investigación |
 |
BUK9K5R1-30EX | Nexperia USA Inc. | MOSFET 2N-CH 30V 40A 56LFPAK | Investigación |
 |
NTLJD4116NT1G | ON Semiconductor | MOSFET 2N-CH 30V 2.5A 6-WDFN | Investigación |
 |
SI7270DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 30V 8A PPAK SO-8 | Investigación |
 |
ALD111933SAL | Advanced Linear Devices Inc. | MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC | Investigación |
 |
SI4944DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 30V 9.3A 8-SOIC | Investigación |
|
ALD114804SCL | Advanced Linear Devices Inc. | MOSFET 4N-CH 10.6V 16SOIC | Investigación |
 |
SI5517DU-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N/P-CH 20V 6A CHIPFET | Investigación |
|
SI4923DY-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2P-CH 30V 6.2A 8-SOIC | Investigación |
Latest Noticias
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers