SQ4920EY-T1_GE3
Número de pieza:
SQ4920EY-T1_GE3
Fabricante:
Vishay / Siliconix
Descripción:
MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SO
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
14854 Pieces
Ficha de datos:
SQ4920EY-T1_GE3.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:2.5V @ 250µA
Paquete del dispositivo:8-SO
Serie:TrenchFET®
RDS (Max) @Id, Vgs:14.5 mOhm @ 6A, 10V
Potencia - Max:4.4W
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Otros nombres:SQ4920EY-T1-GE3
SQ4920EY-T1-GE3-ND
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:18 Weeks
Número de pieza del fabricante:SQ4920EY-T1_GE3
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1465pF @ 15V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:30nC @ 10V
Tipo FET:2 N-Channel (Dual)
Característica de FET:Logic Level Gate
Descripción ampliada:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 8A 4.4W Surface Mount 8-SO
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:30V
Descripción:MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SO
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:8A
Email:[email protected]

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