SQ3427EEV-T1-GE3
SQ3427EEV-T1-GE3
Número de pieza:
SQ3427EEV-T1-GE3
Fabricante:
Vishay / Siliconix
Descripción:
MOSFET P-CH 60V 5.5A 6TSOP
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
12907 Pieces
Ficha de datos:
SQ3427EEV-T1-GE3.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:2.5V @ 250µA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:6-TSOP
Serie:TrenchFET®
RDS (Max) @Id, Vgs:82 mOhm @ 4.5A, 10V
La disipación de energía (máximo):5W (Tc)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Otros nombres:SQ3427EEV-T1-GE3TR
SQ3427EEVT1GE3
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:SQ3427EEV-T1-GE3
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1125pF @ 30V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:32nC @ 10V
Tipo FET:P-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:P-Channel 60V 5.5A (Tc) 5W (Tc) Surface Mount 6-TSOP
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:60V
Descripción:MOSFET P-CH 60V 5.5A 6TSOP
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:5.5A (Tc)
Email:[email protected]

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