Comprar SQ2310ES-T1_GE3 con BYCHPS
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VGS (th) (Max) @Id: | 1V @ 250µA |
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Vgs (Max): | ±8V |
Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
Paquete del dispositivo: | TO-236 |
Serie: | TrenchFET® |
RDS (Max) @Id, Vgs: | 30 mOhm @ 5A, 4.5V |
La disipación de energía (máximo): | 2W (Tc) |
embalaje: | Tape & Reel (TR) |
Paquete / Cubierta: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Otros nombres: | SQ2310ES-T1-GE3 SQ2310ES-T1-GE3TR SQ2310ES-T1-GE3TR-ND SQ2310ES-T1_GE3TR |
Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje: | Surface Mount |
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 18 Weeks |
Número de pieza del fabricante: | SQ2310ES-T1_GE3 |
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 485pF @ 10V |
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 8.5nC @ 4.5V |
Tipo FET: | N-Channel |
Característica de FET: | - |
Descripción ampliada: | N-Channel 20V 6A (Tc) 2W (Tc) Surface Mount TO-236 |
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On): | 1.5V, 4.5V |
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 20V |
Descripción: | MOSFET N-CH 20V 6A SOT23 |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 6A (Tc) |
Email: | [email protected] |