SPB10N10L G
SPB10N10L G
Número de pieza:
SPB10N10L G
Fabricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descripción:
MOSFET N-CH 100V 10.3A TO-263
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
18688 Pieces
Ficha de datos:
SPB10N10L G.pdf

Introducción

BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para SPB10N10L G, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para SPB10N10L G por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Comprar SPB10N10L G con BYCHPS
Compre con garantía

Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:2V @ 21µA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:PG-TO263-3-2
Serie:SIPMOS®
RDS (Max) @Id, Vgs:154 mOhm @ 8.1A, 10V
La disipación de energía (máximo):50W (Tc)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Otros nombres:SP000102169
SPB10N10L G-ND
SPB10N10LGINTR
SPB10N10LGXT
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:SPB10N10L G
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:444pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:22nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 100V 10.3A (Tc) 50W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:100V
Descripción:MOSFET N-CH 100V 10.3A TO-263
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:10.3A (Tc)
Email:[email protected]

Solicitud de Cotización rápida

Número de pieza
Cantidad
Empresa
Email
Teléfono
Notas/Comentarios