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SMSD1002T1G
- Número de pieza:
- SMSD1002T1G
- Fabricante:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Descripción:
- TRANS NPN SOD123
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 19379 Pieces
- Ficha de datos:
- SMSD1002T1G.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para SMSD1002T1G, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para SMSD1002T1G por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| Tensión - Colector-emisor (máx): | - |
|---|---|
| VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic: | - |
| Tipo de transistor: | NPN |
| Paquete del dispositivo: | - |
| Serie: | - |
| Potencia - Max: | - |
| embalaje: | - |
| Paquete / Cubierta: | - |
| Temperatura de funcionamiento: | - |
| Tipo de montaje: | - |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 27 Weeks |
| Número de pieza del fabricante: | SMSD1002T1G |
| Frecuencia - Transición: | - |
| Descripción ampliada: | Bipolar (BJT) Transistor NPN |
| Descripción: | TRANS NPN SOD123 |
| DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce: | - |
| Corriente - corte del colector (Max): | - |
| Corriente - colector (Ic) (Max): | - |
| Email: | [email protected] |
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