SIRA58DP-T1-GE3
SIRA58DP-T1-GE3
Número de pieza:
SIRA58DP-T1-GE3
Fabricante:
Vishay / Siliconix
Descripción:
MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
17012 Pieces
Ficha de datos:
1.SIRA58DP-T1-GE3.pdf2.SIRA58DP-T1-GE3.pdf

Introducción

BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para SIRA58DP-T1-GE3, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para SIRA58DP-T1-GE3 por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Comprar SIRA58DP-T1-GE3 con BYCHPS
Compre con garantía

Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:2.4V @ 250µA
Vgs (Max):+20V, -16V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:PowerPAK® SO-8
Serie:TrenchFET®
RDS (Max) @Id, Vgs:2.65 mOhm @ 15A, 10V
La disipación de energía (máximo):27.7W (Tc)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:PowerPAK® SO-8
Otros nombres:SIRA58DP-T1-GE3TR
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:29 Weeks
Número de pieza del fabricante:SIRA58DP-T1-GE3
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:3750pF @ 20V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:75nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 40V 60A (Tc) 27.7W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:40V
Descripción:MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:60A (Tc)
Email:[email protected]

Solicitud de Cotización rápida

Número de pieza
Cantidad
Empresa
Email
Teléfono
Notas/Comentarios