SIHH26N60E-T1-GE3
SIHH26N60E-T1-GE3
Número de pieza:
SIHH26N60E-T1-GE3
Fabricante:
Vishay / Siliconix
Descripción:
MOSFET N-CH 600V 25A POWERPAK8X8
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
17278 Pieces
Ficha de datos:
SIHH26N60E-T1-GE3.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:4V @ 250µA
Vgs (Max):±30V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:PowerPAK® 8 x 8
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:135 mOhm @ 13A, 10V
La disipación de energía (máximo):202W (Tc)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:8-PowerTDFN
Otros nombres:SIHH26N60E-T1-GE3TR
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:19 Weeks
Número de pieza del fabricante:SIHH26N60E-T1-GE3
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:2815pF @ 100V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:116nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 600V 25A (Tc) 202W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 8 x 8
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:600V
Descripción:MOSFET N-CH 600V 25A POWERPAK8X8
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:25A (Tc)
Email:[email protected]

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