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SIE836DF-T1-E3
- Número de pieza:
- SIE836DF-T1-E3
- Fabricante:
- Vishay / Siliconix
- Descripción:
- MOSFET N-CH 200V 18.3A POLARPAK
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 12740 Pieces
- Ficha de datos:
- SIE836DF-T1-E3.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para SIE836DF-T1-E3, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para SIE836DF-T1-E3 por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| VGS (th) (Max) @Id: | 4.5V @ 250µA |
|---|---|
| Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo: | 10-PolarPAK® (SH) |
| Serie: | TrenchFET® |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 130 mOhm @ 4.1A, 10V |
| La disipación de energía (máximo): | 5.2W (Ta), 104W (Tc) |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | 10-PolarPAK® (SH) |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de pieza del fabricante: | SIE836DF-T1-E3 |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 1200pF @ 100V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 41nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica de FET: | - |
| Descripción ampliada: | N-Channel 200V 18.3A (Tc) 5.2W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount 10-PolarPAK® (SH) |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 200V |
| Descripción: | MOSFET N-CH 200V 18.3A POLARPAK |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 18.3A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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