SIA814DJ-T1-GE3
SIA814DJ-T1-GE3
Número de pieza:
SIA814DJ-T1-GE3
Fabricante:
Vishay / Siliconix
Descripción:
MOSFET N-CH 30V 4.5A SC70-6
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
12789 Pieces
Ficha de datos:
SIA814DJ-T1-GE3.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:1.5V @ 250µA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:PowerPAK® SC-70-6 Dual
Serie:LITTLE FOOT®
RDS (Max) @Id, Vgs:61 mOhm @ 3.3A, 10V
La disipación de energía (máximo):1.9W (Ta), 6.5W (Tc)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:PowerPAK® SC-70-6 Dual
Otros nombres:SIA814DJ-T1-GE3TR
SIA814DJT1GE3
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:SIA814DJ-T1-GE3
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:340pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:11nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:Schottky Diode (Isolated)
Descripción ampliada:N-Channel 30V 4.5A (Tc) 1.9W (Ta), 6.5W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 Dual
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:30V
Descripción:MOSFET N-CH 30V 4.5A SC70-6
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:4.5A (Tc)
Email:[email protected]

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