SI9945BDY-T1-GE3
Número de pieza:
SI9945BDY-T1-GE3
Fabricante:
Vishay / Siliconix
Descripción:
MOSFET 2N-CH 60V 5.3A 8-SOIC
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
14156 Pieces
Ficha de datos:
SI9945BDY-T1-GE3.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:3V @ 250µA
Paquete del dispositivo:8-SO
Serie:TrenchFET®
RDS (Max) @Id, Vgs:58 mOhm @ 4.3A, 10V
Potencia - Max:3.1W
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Otros nombres:SI9945BDY-T1-GE3-ND
SI9945BDY-T1-GE3TR
SI9945BDYT1GE3
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:15 Weeks
Número de pieza del fabricante:SI9945BDY-T1-GE3
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:665pF @ 15V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:20nC @ 10V
Tipo FET:2 N-Channel (Dual)
Característica de FET:Logic Level Gate
Descripción ampliada:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 5.3A 3.1W Surface Mount 8-SO
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:60V
Descripción:MOSFET 2N-CH 60V 5.3A 8-SOIC
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:5.3A
Email:[email protected]

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