SI8812DB-T2-E1
SI8812DB-T2-E1
Número de pieza:
SI8812DB-T2-E1
Fabricante:
Vishay / Siliconix
Descripción:
MOSFET N-CH 20V MICROFOOT
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
14096 Pieces
Ficha de datos:
SI8812DB-T2-E1.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:1V @ 250µA
Vgs (Max):±5V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:4-Microfoot
Serie:TrenchFET®
RDS (Max) @Id, Vgs:59 mOhm @ 1A, 4.5V
La disipación de energía (máximo):500mW (Ta)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:4-UFBGA
Otros nombres:SI8812DB-T2-E1TR
SI8812DBT2E1
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:24 Weeks
Número de pieza del fabricante:SI8812DB-T2-E1
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:-
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:17nC @ 8V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 20V 500mW (Ta) Surface Mount 4-Microfoot
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):1.2V, 4.5V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:20V
Descripción:MOSFET N-CH 20V MICROFOOT
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:-
Email:[email protected]

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