SI8424DB-T1-E1
SI8424DB-T1-E1
Número de pieza:
SI8424DB-T1-E1
Fabricante:
Vishay / Siliconix
Descripción:
MOSFET N-CH 8V 12.2A 2X2 4-MFP
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
13753 Pieces
Ficha de datos:
SI8424DB-T1-E1.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:1V @ 250µA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:4-Microfoot
Serie:TrenchFET®
RDS (Max) @Id, Vgs:31 mOhm @ 1A, 4.5V
La disipación de energía (máximo):2.78W (Ta), 6.25W (Tc)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:4-XFBGA, CSPBGA
Otros nombres:SI8424DB-T1-E1TR
SI8424DBT1E1
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:SI8424DB-T1-E1
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1950pF @ 4V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:33nC @ 5V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 8V 12.2A (Tc) 2.78W (Ta), 6.25W (Tc) Surface Mount 4-Microfoot
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:8V
Descripción:MOSFET N-CH 8V 12.2A 2X2 4-MFP
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:12.2A (Tc)
Email:[email protected]

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