SI6433BDQ-T1-E3
Número de pieza:
SI6433BDQ-T1-E3
Fabricante:
Vishay / Siliconix
Descripción:
MOSFET P-CH 12V 4A 8-TSSOP
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
19044 Pieces
Ficha de datos:
SI6433BDQ-T1-E3.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:1.5V @ 250µA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:8-TSSOP
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:40 mOhm @ 4.8A, 4.5V
La disipación de energía (máximo):1.05W (Ta)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Otros nombres:SI6433BDQ-T1-E3TR
SI6433BDQT1E3
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:SI6433BDQ-T1-E3
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:-
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:15nC @ 4.5V
Tipo FET:P-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:P-Channel 12V 4A (Ta) 1.05W (Ta) Surface Mount 8-TSSOP
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:12V
Descripción:MOSFET P-CH 12V 4A 8-TSSOP
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:4A (Ta)
Email:[email protected]

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