SI5482DU-T1-GE3
Número de pieza:
SI5482DU-T1-GE3
Fabricante:
Vishay / Siliconix
Descripción:
MOSFET N-CH 30V 12A PPAK CHIPFET
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
15685 Pieces
Ficha de datos:
SI5482DU-T1-GE3.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:2V @ 250µA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:PowerPAK® ChipFet Single
Serie:TrenchFET®
RDS (Max) @Id, Vgs:15 mOhm @ 7.4A, 10V
La disipación de energía (máximo):3.1W (Ta), 31W (Tc)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:PowerPAK® ChipFET™ Single
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:SI5482DU-T1-GE3
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1610pF @ 15V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:51nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 30V 12A (Tc) 3.1W (Ta), 31W (Tc) Surface Mount PowerPAK® ChipFet Single
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:30V
Descripción:MOSFET N-CH 30V 12A PPAK CHIPFET
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:12A (Tc)
Email:[email protected]

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