SI4916DY-T1-E3
Número de pieza:
SI4916DY-T1-E3
Fabricante:
Vishay / Siliconix
Descripción:
MOSFET 2N-CH 30V 10A 8-SOIC
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
15368 Pieces
Ficha de datos:
SI4916DY-T1-E3.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:3V @ 250µA
Paquete del dispositivo:8-SO
Serie:LITTLE FOOT®
RDS (Max) @Id, Vgs:18 mOhm @ 10A, 10V
Potencia - Max:3.3W, 3.5W
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Otros nombres:SI4916DY-T1-E3TR
SI4916DYT1E3
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:24 Weeks
Número de pieza del fabricante:SI4916DY-T1-E3
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:-
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:10nC @ 4.5V
Tipo FET:2 N-Channel (Half Bridge)
Característica de FET:Logic Level Gate
Descripción ampliada:Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 10A, 10.5A 3.3W, 3.5W Surface Mount 8-SO
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:30V
Descripción:MOSFET 2N-CH 30V 10A 8-SOIC
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:10A, 10.5A
Email:[email protected]

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