SI4668DY-T1-GE3
Número de pieza:
SI4668DY-T1-GE3
Fabricante:
Vishay / Siliconix
Descripción:
MOSFET N-CH 25V 16.2A 8-SOIC
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
15913 Pieces
Ficha de datos:
SI4668DY-T1-GE3.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:2.6V @ 250µA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:8-SO
Serie:TrenchFET®
RDS (Max) @Id, Vgs:10.5 mOhm @ 15A, 10V
La disipación de energía (máximo):2.5W (Ta), 5W (Tc)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Otros nombres:SI4668DY-T1-GE3TR
SI4668DYT1GE3
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:SI4668DY-T1-GE3
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1654pF @ 15V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:42nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 25V 16.2A (Tc) 2.5W (Ta), 5W (Tc) Surface Mount 8-SO
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:25V
Descripción:MOSFET N-CH 25V 16.2A 8-SOIC
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:16.2A (Tc)
Email:[email protected]

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