SI4554DY-T1-GE3
Número de pieza:
SI4554DY-T1-GE3
Fabricante:
Vishay / Siliconix
Descripción:
MOSFET N/P-CH 40V 8A 8SO
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
19525 Pieces
Ficha de datos:
SI4554DY-T1-GE3.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:2.2V @ 250µA
Paquete del dispositivo:8-SO
Serie:TrenchFET®
RDS (Max) @Id, Vgs:24 mOhm @ 6.8A, 10V
Potencia - Max:3.1W, 3.2W
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Otros nombres:Q6600094
SI4554DY-T1-GE3-ND
SI4554DY-T1-GE3TR
T2178494
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:24 Weeks
Número de pieza del fabricante:SI4554DY-T1-GE3
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:690pF @ 20V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:20nC @ 10V
Tipo FET:N and P-Channel
Característica de FET:Logic Level Gate
Descripción ampliada:Mosfet Array N and P-Channel 40V 8A 3.1W, 3.2W Surface Mount 8-SO
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:40V
Descripción:MOSFET N/P-CH 40V 8A 8SO
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:8A
Email:[email protected]

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