SI4463CDY-T1-GE3
Número de pieza:
SI4463CDY-T1-GE3
Fabricante:
Vishay / Siliconix
Descripción:
MOSFET P-CHAN 2.5V SO8
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
18827 Pieces
Ficha de datos:
SI4463CDY-T1-GE3.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:1.4V @ 250µA
Vgs (Max):±12V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:8-SO
Serie:TrenchFET®
RDS (Max) @Id, Vgs:8 mOhm @ 13A, 10V
La disipación de energía (máximo):2.7W (Ta), 5W (Tc)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Otros nombres:SI4463CDY-T1-GE3TR
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:24 Weeks
Número de pieza del fabricante:SI4463CDY-T1-GE3
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:4250pF @ 15V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:162nC @ 10V
Tipo FET:P-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:P-Channel 20V 13.6A (Ta), 49A (Tc) 2.7W (Ta), 5W (Tc) Surface Mount 8-SO
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):2.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:20V
Descripción:MOSFET P-CHAN 2.5V SO8
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:13.6A (Ta), 49A (Tc)
Email:[email protected]

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