SI4435DDY-T1-GE3
Número de pieza:
SI4435DDY-T1-GE3
Fabricante:
Vishay / Siliconix
Descripción:
MOSFET P-CH 30V 11.4A 8-SOIC
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
15661 Pieces
Ficha de datos:
SI4435DDY-T1-GE3.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:3V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:8-SO
Serie:TrenchFET®
RDS (Max) @Id, Vgs:24 mOhm @ 9.1A, 10V
La disipación de energía (máximo):2.5W (Ta), 5W (Tc)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Otros nombres:SI4435DDY-T1-GE3TR
SI4435DDYT1GE3
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:17 Weeks
Número de pieza del fabricante:SI4435DDY-T1-GE3
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1350pF @ 15V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:50nC @ 10V
Tipo FET:P-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:P-Channel 30V 11.4A (Tc) 2.5W (Ta), 5W (Tc) Surface Mount 8-SO
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:30V
Descripción:MOSFET P-CH 30V 11.4A 8-SOIC
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:11.4A (Tc)
Email:[email protected]

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