SI3473DV-T1-GE3
SI3473DV-T1-GE3
Número de pieza:
SI3473DV-T1-GE3
Fabricante:
Vishay / Siliconix
Descripción:
MOSFET P-CH 12V 5.9A 6-TSOP
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
16421 Pieces
Ficha de datos:
SI3473DV-T1-GE3.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:1V @ 250µA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:6-TSOP
Serie:TrenchFET®
RDS (Max) @Id, Vgs:23 mOhm @ 7.9A, 4.5V
La disipación de energía (máximo):1.1W (Ta)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:SI3473DV-T1-GE3
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:-
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:33nC @ 4.5V
Tipo FET:P-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:P-Channel 12V 5.9A (Ta) 1.1W (Ta) Surface Mount 6-TSOP
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:12V
Descripción:MOSFET P-CH 12V 5.9A 6-TSOP
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:5.9A (Ta)
Email:[email protected]

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