SI1467DH-T1-GE3
Número de pieza:
SI1467DH-T1-GE3
Fabricante:
Vishay / Siliconix
Descripción:
MOSFET P-CH 20V 2.7A SC-70-6
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
18302 Pieces
Ficha de datos:
SI1467DH-T1-GE3.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:1V @ 250µA
Vgs (Max):±8V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:SC-70-6 (SOT-363)
Serie:TrenchFET®
RDS (Max) @Id, Vgs:90 mOhm @ 2A, 4.5V
La disipación de energía (máximo):1.5W (Ta), 2.78W (Tc)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Otros nombres:SI1467DH-T1-GE3TR
SI1467DHT1GE3
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:24 Weeks
Número de pieza del fabricante:SI1467DH-T1-GE3
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:561pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:13.5nC @ 4.5V
Tipo FET:P-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:P-Channel 20V 2.7A (Tc) 1.5W (Ta), 2.78W (Tc) Surface Mount SC-70-6 (SOT-363)
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):1.8V, 4.5V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:20V
Descripción:MOSFET P-CH 20V 2.7A SC-70-6
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:2.7A (Tc)
Email:[email protected]

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