SI1424EDH-T1-GE3
Número de pieza:
SI1424EDH-T1-GE3
Fabricante:
Vishay / Siliconix
Descripción:
MOSFET N-CH 20V 4A SOT-363
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
12602 Pieces
Ficha de datos:
SI1424EDH-T1-GE3.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:1V @ 250µA
Vgs (Max):±8V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:SOT-363
Serie:TrenchFET®
RDS (Max) @Id, Vgs:33 mOhm @ 5A, 4.5V
La disipación de energía (máximo):1.56W (Ta), 2.8W (Tc)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Otros nombres:SI1424EDH-T1-GE3-ND
SI1424EDH-T1-GE3TR
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:24 Weeks
Número de pieza del fabricante:SI1424EDH-T1-GE3
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:-
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:18nC @ 8V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 20V 4A (Tc) 1.56W (Ta), 2.8W (Tc) Surface Mount SOT-363
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):4.5V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:20V
Descripción:MOSFET N-CH 20V 4A SOT-363
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:4A (Tc)
Email:[email protected]

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