SI1032X-T1-GE3
SI1032X-T1-GE3
Número de pieza:
SI1032X-T1-GE3
Fabricante:
Vishay / Siliconix
Descripción:
MOSFET N-CH 20V 200MA SC89-3
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
13854 Pieces
Ficha de datos:
SI1032X-T1-GE3.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:1.2V @ 250µA
Vgs (Max):±6V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:SC-89-3
Serie:TrenchFET®
RDS (Max) @Id, Vgs:5 Ohm @ 200mA, 4.5V
La disipación de energía (máximo):300mW (Ta)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:SC-89, SOT-490
Otros nombres:SI1032X-T1-GE3TR
SI1032XT1GE3
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:12 Weeks
Número de pieza del fabricante:SI1032X-T1-GE3
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:-
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:0.75nC @ 4.5V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 20V 200mA (Ta) 300mW (Ta) Surface Mount SC-89-3
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):1.5V, 4.5V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:20V
Descripción:MOSFET N-CH 20V 200MA SC89-3
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:200mA (Ta)
Email:[email protected]

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