SI1025X-T1-E3
SI1025X-T1-E3
Número de pieza:
SI1025X-T1-E3
Fabricante:
Vishay / Siliconix
Descripción:
MOSFET 2P-CH 60V 0.19A SOT563F
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
17916 Pieces
Ficha de datos:
SI1025X-T1-E3.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:3V @ 250µA
Paquete del dispositivo:SC-89-6
Serie:TrenchFET®
RDS (Max) @Id, Vgs:4 Ohm @ 500mA, 10V
Potencia - Max:250mW
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:SOT-563, SOT-666
Otros nombres:SI1025X-T1-E3TR
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:SI1025X-T1-E3
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:23pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:1.7nC @ 15V
Tipo FET:2 P-Channel (Dual)
Característica de FET:Logic Level Gate
Descripción ampliada:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 60V 190mA 250mW Surface Mount SC-89-6
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:60V
Descripción:MOSFET 2P-CH 60V 0.19A SOT563F
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:190mA
Email:[email protected]

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