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SFT1350-H
- Número de pieza:
- SFT1350-H
- Fabricante:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Descripción:
- MOSFET P-CH 40V 19A TP
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 12781 Pieces
- Ficha de datos:
- SFT1350-H.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para SFT1350-H, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para SFT1350-H por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| VGS (th) (Max) @Id: | - |
|---|---|
| Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo: | TP |
| Serie: | - |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 59 mOhm @ 9.5A, 10V |
| La disipación de energía (máximo): | 1W (Ta), 23W (Tc) |
| embalaje: | Bulk |
| Paquete / Cubierta: | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Temperatura de funcionamiento: | 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Through Hole |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de pieza del fabricante: | SFT1350-H |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 590pF @ 20V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 12nC @ 10V |
| Tipo FET: | P-Channel |
| Característica de FET: | - |
| Descripción ampliada: | P-Channel 40V 19A (Ta) 1W (Ta), 23W (Tc) Through Hole TP |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 40V |
| Descripción: | MOSFET P-CH 40V 19A TP |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 19A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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