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SD103N10S10PV
- Número de pieza:
- SD103N10S10PV
- Fabricante:
- Vishay / Semiconductor - Diodes Division
- Descripción:
- DIODE GEN PURP 1KV 110A DO205
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Contiene plomo / RoHS no conforme
- Cantidad disponible:
- 14240 Pieces
- Ficha de datos:
- SD103N10S10PV.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para SD103N10S10PV, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para SD103N10S10PV por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| Tensión - directo (Vf) (Max) Si @: | 2.23V @ 345A |
|---|---|
| Voltaje - Inverso (Vr) (máx): | 1000V (1kV) |
| Paquete del dispositivo: | DO-205AC (DO-30) |
| Velocidad: | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Serie: | - |
| Tiempo de recuperación inversa (trr): | 1µs |
| embalaje: | Bulk |
| Paquete / Cubierta: | DO-205AC, DO-30, Stud |
| Otros nombres: | *SD103N10S10PV |
| Temperatura de funcionamiento - Junction: | -40°C ~ 125°C |
| Tipo de montaje: | Chassis, Stud Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de pieza del fabricante: | SD103N10S10PV |
| Descripción ampliada: | Diode Standard 1000V (1kV) 110A Chassis, Stud Mount DO-205AC (DO-30) |
| Tipo de diodo: | Standard |
| Descripción: | DIODE GEN PURP 1KV 110A DO205 |
| Corriente - Fuga inversa a Vr: | 35mA @ 1000V |
| Corriente - rectificada media (Io): | 110A |
| Capacitancia Vr, F: | - |
| Email: | [email protected] |
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