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SCT3080ALGC11
- Número de pieza:
- SCT3080ALGC11
- Fabricante:
- LAPIS Semiconductor
- Descripción:
- MOSFET N-CH 650V 30A TO247
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 20038 Pieces
- Ficha de datos:
- SCT3080ALGC11.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para SCT3080ALGC11, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para SCT3080ALGC11 por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| VGS (th) (Max) @Id: | 5.6V @ 5mA |
|---|---|
| Vgs (Max): | +22V, -4V |
| Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo: | TO-247N |
| Serie: | - |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 104 mOhm @ 10A, 18V |
| La disipación de energía (máximo): | 134W (Tc) |
| embalaje: | Tube |
| Paquete / Cubierta: | TO-247-3 |
| Temperatura de funcionamiento: | 175°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Through Hole |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 18 Weeks |
| Número de pieza del fabricante: | SCT3080ALGC11 |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 571pF @ 500V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 48nC @ 18V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica de FET: | - |
| Descripción ampliada: | N-Channel 650V 30A (Tc) 134W (Tc) Through Hole TO-247N |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On): | 18V |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 650V |
| Descripción: | MOSFET N-CH 650V 30A TO247 |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 30A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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