SCH2825-TL-E
SCH2825-TL-E
Número de pieza:
SCH2825-TL-E
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción:
MOSFET N-CH 30V 1.6A SCH6
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
18214 Pieces
Ficha de datos:
SCH2825-TL-E.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:-
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:6-SCH
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:180 mOhm @ 800mA, 10V
La disipación de energía (máximo):600mW (Ta)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:6-SMD, Flat Leads
Otros nombres:869-1197-2
SCH2825TLE
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 125°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:SCH2825-TL-E
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:88pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:2nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:Schottky Diode (Isolated)
Descripción ampliada:N-Channel 30V 1.6A (Ta) 600mW (Ta) Surface Mount 6-SCH
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:30V
Descripción:MOSFET N-CH 30V 1.6A SCH6
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:1.6A (Ta)
Email:[email protected]

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