RN4982FE,LF(CB
RN4982FE,LF(CB
Número de pieza:
RN4982FE,LF(CB
Fabricante:
Toshiba Semiconductor
Descripción:
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
18775 Pieces
Ficha de datos:
RN4982FE,LF(CB.pdf

Introducción

BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para RN4982FE,LF(CB, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para RN4982FE,LF(CB por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Comprar RN4982FE,LF(CB con BYCHPS
Compre con garantía

Especificaciones

Tensión - Colector-emisor (máx):50V
VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic:300mV @ 250µA, 5mA
Tipo de transistor:1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Paquete del dispositivo:ES6
Serie:-
Resistencia - Emisor Base (R2) (Ohms):10k
Resistencia - Base (R1) (Ohms):10k
Potencia - Max:100mW
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:SOT-563, SOT-666
Otros nombres:RN4982FE(T5L,F,T)
RN4982FE(T5LFT)TR
RN4982FE(T5LFT)TR-ND
RN4982FE,LF(CT
RN4982FELF(CBTR
RN4982FELF(CTTR
RN4982FELF(CTTR-ND
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:16 Weeks
Número de pieza del fabricante:RN4982FE,LF(CB
Frecuencia - Transición:250MHz
Descripción ampliada:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount ES6
Descripción:TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce:50 @ 10mA, 5V
Corriente - corte del colector (Max):100nA (ICBO)
Corriente - colector (Ic) (Max):100mA
Email:[email protected]

Solicitud de Cotización rápida

Número de pieza
Cantidad
Empresa
Email
Teléfono
Notas/Comentarios