RJK6018DPK-00#T0
RJK6018DPK-00#T0
Número de pieza:
RJK6018DPK-00#T0
Fabricante:
Renesas Electronics America
Descripción:
MOSFET N-CH 600V 30A TO3P
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
13576 Pieces
Ficha de datos:
RJK6018DPK-00#T0.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:-
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:TO-3P
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:235 mOhm @ 15A, 10V
La disipación de energía (máximo):200W (Tc)
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:TO-3P-3, SC-65-3
Temperatura de funcionamiento:150°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:16 Weeks
Número de pieza del fabricante:RJK6018DPK-00#T0
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:4100pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:92nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 600V 30A (Ta) 200W (Tc) Through Hole TO-3P
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:600V
Descripción:MOSFET N-CH 600V 30A TO3P
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:30A (Ta)
Email:[email protected]

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